特許
J-GLOBAL ID：200903045500955545
回路パターンの検査装置及び検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183440
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026530
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造過程で同一設計パターン中の欠陥を電子線で検査する方法において、基板の種類と加工工程に応じて形状検査と電位コントラストによる検査のモードを選択し、速やかに誤りなく半導体ウェハを高精度に検査する。【解決手段】 基板表面近傍に二次電子収束電極を設け、検査モードに応じて基板への印加電圧、走査信号、一次ビーム加速電圧等を選択的に変えるスイッチを有し、二次電子を衝突させる反射板を二次電子発生効率の異なる2種類以上の材質で構成した。【効果】 基板への印加電圧を低くしても二次電子の発散・逸脱を防げる上に反射板で二次電子の初速度に応じた空間フィルタ効果が生じるため、所望のコントラストを有する二次電子像形成が可能となった。
請求項（抜粋）：
一次電子線を発生させる電子銃と上記電子線を収束させるレンズ手段と上記電子線を基板で走査させる偏向手段と、基板を保持する試料台と、上記一次電子線を減速し上記一次電子線により上記基板から二次的に生じる第1の二次電子の速度を変化させる電子線加減速手段と、上記一次電子線に対しては電界と磁界による偏向量がキャンセルし上記二次電子に対しては電界と磁界の重ね合わせで偏向作用を及ぼす電磁界を発生させるEXB偏向手段と、上記二次電子を衝突させる固体片と、上記固体片から発生する第2の二次電子を検出する検出器と、上記検出器で得た第2の二次電子信号を画像化する手段と、当該領域の画像を他の領域の画像と比較評価する信号処理系を含む回路パターン検査装置において、上記加減速手段の内部に上記二次電子を収束させる収束電極と、上記加減速手段と上記二次電子収束電極とに印加する電圧および電流値を選択的に変更させる選択手段と、上記選択手段と連動して上記一次電子線の加速電圧と上記レンズ手段と上記偏向手段と上記EXB偏向手段に印加する電圧および信号の全てまたは一部を所望の値に変更して設定する制御手段とを有し、形状コントラスト像と電位コントラスト像とを選択的に利用した検査を行う機能を備えたことを特徴とする回路パターン検査装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01B 15/04
, G01R 31/302
H01L 21/66 J
, G01B 15/04
, G01R 31/28 L
