特許

J-GLOBAL ID：200903045504011819

半導体製造装置

発明者： 山本 哲夫 ,  渡辺 誠治 ,  梅川 純史 ,  立野 秀人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031135
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214762
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】クリーンエアの澱みの発生を抑制し、筐体内の清浄度の向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】クリーンエア流36,37を形成するクリーンユニット27を有し、該クリーンユニットの下流に前記クリーンエア流を変向する変向板35を設け、前記クリーンユニットが2以上のサブクリーンユニット28,29を有し、該サブクリーンユニットの少なくとも1つの風量を変更可能とし、変向板を設けることによりクリーンユニットで形成されるクリーンエア流が変向板に沿って流下する為クリーンエア流が巻上がるのが防止され、澱みの発生が抑制され、又クリーンユニットのサブクリーンユニットの少なくとも1つの風量を調節することでクリーンエアの一様な流れを維持でき、半導体製造装置筐体内の清浄度が向上する。

請求項（抜粋）：

クリーンエア流を形成するクリーンユニットを有し、該クリーンユニットの下流に前記クリーンエア流を変向する変向板を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  F24F 7/06 ,  H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/02 D ,  F24F 7/06 C ,  H01L 21/22 511 Q