特許

J-GLOBAL ID：200903045505509101

非可逆回路素子

発明者： 金井 邦夫 ,  池田 昌隆
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214212
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 挿入損失および動作周波数が広い温度領域に亘って優れた非可逆回路素子、その素子用のマイクロ波フェライト材料、およびその素子の温度補償方法を提供する。【解決手段】 高磁界動作型の非可逆回路素子の、Srフェライト磁石の飽和磁化(Msm)とGd-Ca-V-In置換型YIGの飽和磁化(Msf)の比(Msm/Msf)が、低温側と高温側のいずれにおいても、常温時よりも大きな特定の値となるように構成した。その材料。その温度補償方法。

請求項（抜粋）：

強磁性共鳴磁界より高い磁界で動作する非可逆回路素子であって、永久磁石の飽和磁化(Msm)とマイクロ波フェライトの飽和磁化(Msf)の比(Msm/Msf)の値が、低温側と高温側のいずれにおいても、常温時よりも大であることを特徴とする非可逆回路素子。

IPC (4件)：

H01F 1/34 ,  H01P 1/36 ,  H01P 1/383 ,  H03L 1/02

FI (4件)：

H01F 1/34 J ,  H01P 1/36 A ,  H01P 1/383 A ,  H03L 1/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-111697
  
• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-029118   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭51-111697