特許

J-GLOBAL ID：200903045505748084

放射線撮像装置

発明者： 佐藤 賢治
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073738
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281882
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】放射線検出器における検出感動の変動の発生や残留出力の発生を電気信号処理回路のダイナミックレンジを狭めることなしに回避する。【解決手段】この発明の装置は、FPD1における放射線に有感な半導体層7及び中間層7aの分割電極9形成側へ光照射機構14で光を照射する構成を備えており、実効的な有感面積の変化が起こらないので、FPD1の検出感度の変動を回避できる。また、放射線の入射停止後も光照射を続けることで、残留出力の発生も回避できる。さらに、光照射機構14により照射する光の強度が電気信号処理回路2のゲイン設定値の減少、増加に応じて増加、減少するように光強度制御部15でコントロールする構成を備え、ダイナミックレンジを狭める暗電流分が電気信号処理回路2の出力範囲を広く占めることはない。その結果、ダイナミックレンジが大きく狭められることもない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

放射線に有感な半導体層の一面側にバイアス電圧印加用の共通電極が形成されているとともに、他面側に複数個の分割電極が形成されており、放射線の入射に伴って前記半導体層内部に発生する電荷を各々の分割電極から電気信号として取り出すことによって入射放射線の空間分布を検出する放射線検出手段と、取り出した電気信号を設定されたゲイン値(ゲイン設定値)に応じて信号処理すると共にゲイン設定値の増加、減少がおこなえる電気信号処理回路と、電気信号処理回路で信号処理された電気信号に基づいて放射線画像を作成する画像処理回路とを備えた放射線撮像装置において、(A)前記放射線に有感な半導体層の分割電極形成側へ向けて光を照射する光照射手段と、(B)電気信号処理回路のゲイン設定値の減少、増加に応じて照射する光の強度が増加、減少するように前記光照射手段を制御する光強度制御手段とを備えたことを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (6件)：

H01L27/14 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32 ,  H04N5/335

FI (8件)：

H01L27/14 K ,  G01T1/20 E ,  G01T1/24 ,  H04N5/32 ,  H04N5/335 R ,  H04N5/335 U ,  H01L31/00 A ,  A61B6/00 350Z

Fターム (49件)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088GG25 ,  2G088JJ05 ,  2G088KK32 ,  2G088LL15 ,  2G088LL17 ,  2G088LL18 ,  2G088MM04 ,  4C093AA30 ,  4C093CA01 ,  4C093CA36 ,  4C093EB13 ,  4C093EB17 ,  4C093EE01 ,  4C093FA32 ,  4C093FA43 ,  4C093FA51 ,  4C093FC18 ,  4C093FC19 ,  4C093FD01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118DD01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5C024AX11 ,  5C024CX27 ,  5C024CX32 ,  5C024CX43 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024HX17 ,  5F088AB05 ,  5F088BA10 ,  5F088BB07 ,  5F088BB10 ,  5F088KA10 ,  5F088LA08