特許
J-GLOBAL ID：200903045506310236
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164056
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196574
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 吸水や脱離ガスの少ないSOG膜を形成し、特に、ビアコンタクト部での配線の導通不良を防止する。【構成】 下層のAl配線2を形成した後、シリコン酸化膜3を形成し、この後、全面にSOG溶液を回転塗布し、これを、窒素80%、オゾン0.8%及び酸素19.2%の酸化雰囲気中で熱処理することによりSOG溶液のシラノール基の脱水縮合反応を充分に行わせ、しかる後、このようにして形成されたSOG膜4の上にシリコン酸化膜5を形成し、これらのシリコン酸化膜5、SOG膜4及びシリコン酸化膜3にビアホール8を開孔した後、更に、上述と同じ酸化雰囲気中で熱処理する。これにより、ビアホール8の内部に上層配線のAlをスパッタ形成する際、そのスパッタ不良を低減し、配線の導通不良を防止する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を形成すべき下地の上にSOG溶液を塗布し、このSOG溶液が塗布された半導体装置を酸化雰囲気中で熱処理することにより、層間絶縁膜の少なくとも一部である前記絶縁膜としてSOG膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
