特許

J-GLOBAL ID：200903045506373041

レーザ半導体装置

発明者： 三樹 剛
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099863
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284737
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 キャリアのバリアとなる材料を基板に対する格子整合条件によらず選択できるレーザ半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板101上にクラッド層110,108,104および活性層106を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第1の半導体層1091(p型ZnTe)と第2の半導体層1092(p型AlAsP)を積層して構成される超格子構造膜を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にクラッド層および活性層を設けて構成されるレーザ半導体装置であって、前記半導体基板上に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜を備えたことを特徴とするレーザ半導体装置。

Fターム (9件)：

5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA71 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073EA23