特許
J-GLOBAL ID：200903045509730830
半導体搭載用複合放熱基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003265
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 プラスチックパッケージあるいはフレキシブルプリント配線盤に使用される半導体放熱基板において、放熱基板と半導体またはプラスチックパッケージ等との熱膨張差異による半導体やパッケージの信頼性の低下等の問題が発生しない信頼性の高い半導体パッケージを提供することを目的とする。【構成】 密度の異なるW及びMo粉末焼結体またはCu-W及びCu-Mo粉末焼結体の2種を、Cu溶浸法により接合した半導体搭載用放熱基板6をプラスチックパッケージ7あるいはフレキシブルプリント配線盤に適用することにより熱膨張差異による問題の発生しない信頼性の高い半導体用パッケージを提供する。
請求項（抜粋）：
密度の異なったW及びMo多孔焼結体またはCu-W及びCu-Mo多孔焼結体の少なくとも2種をCu溶浸法により接合したことを特徴とする半導体搭載用複合放熱基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/14
, B22F 5/00 101
, B22F 7/08
