特許

J-GLOBAL ID：200903045511343428

半導体結晶薄膜の作製方法及び太陽電池

発明者： 中嶋 一雄 ,  沓掛 健太朗
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-133813
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177116
出願日： 2008年05月22日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、前記融液から所定量を滴下させて前記基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を前記基板上に形成することを特徴とする、半導体結晶薄膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 29/06 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/208 Z ,  C30B29/06 501B ,  H01L31/04 H

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077BE05 ,  4G077CG01 ,  4G077EC01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA01 ,  4G077QA01 ,  4G077QA58 ,  4G077QA71 ,  5F051AA03 ,  5F051CB05 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F053AA06 ,  5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL05 ,  5F053LL10 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコン系薄膜の作製方法、及びシリコン系薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-004214   出願人：埼玉大学長
• シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328186   出願人：キヤノン株式会社
• 特許第3978494号公報