特許

J-GLOBAL ID：200903045511582724

受光素子

発明者： 笹川 幸宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008342
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 ドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子におけるドーピング層のバンド構造が全体的に傾斜し、実効的なバンドギャップを複数個持つようにした高効率の受光素子を提供する。【構成】 ドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子であって、基本材料に対してアクセプタ元素を添加した前記超格子を構成する複数のドーピングp層(2〜6)の不純物濃度を段階的に変化させた。

請求項（抜粋）：

電子の量子力学的性質が現れる厚さでpn周期構造を形成し、かつ単一基本材料で構成されたドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子であって、基本材料に対してアクセプタ元素あるいはドナー元素を添加した前記超格子を構成する複数のドーピングp層あるいはドーピングn層の少なくともどちらか一方の層の不純物濃度を段階的に変化させたことを特徴とする受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-129883
  
• 電子装置及びその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100674   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-040382