特許

J-GLOBAL ID：200903045514773202

平面型磁気素子および非晶質磁性薄膜

発明者： 富田 宏 ,  井上 哲夫 ,  福家 ひろみ ,  佐藤 敏郎 ,  溝口 徹彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039167
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220922
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 小形化および高性能化を図ることを可能とした平面型磁気素子、および高飽和磁化と高抵抗率を両立させると共に、磁化困難軸励磁による高周波透磁率の獲得を容易にした軟磁性薄膜を提供する。【構成】 非晶質磁性薄膜と平面コイルとを有する平面型磁気素子である。非晶質磁性薄膜は、鉄およびコバルトの少なくとも一方を含む磁性を担う第1の非晶質相1と、第1の非晶質相1の周囲に配置され、硼素と4B族元素とを含む第2の非晶質相2とから構成される微構造を、薄膜形成領域の少なくとも一部として有し、かつ面内で一軸磁気異方性を有する。非晶質磁性薄膜は、例えば化学式(Fe<SB>1-x </SB>Co<SB>x </SB>)<SB>1-y </SB>(B<SB>1-z </SB> X<SB>z </SB>)<SB>y </SB>(式中、 Xは4B族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素、 0< x≦ 0.5、0.06< y< 0.5(特に0.10< y<0.33)、0.05< z<0.5)で実質的に表される組成を有するものである。

請求項（抜粋）：

非晶質磁性薄膜と平面コイルとを有する平面型磁気素子において、前記非晶質磁性薄膜は、鉄およびコバルトの少なくとも一方を含む磁性を担う第1の非晶質相と、前記第1の非晶質相の周囲に配置され、硼素と4B族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素とを含む第2の非晶質相とから構成される微構造を、薄膜形成領域の少なくとも一部として有し、かつ前記非晶質磁性薄膜は面内で一軸磁気異方性を有することを特徴とする平面型磁気素子。

IPC (3件)：

H01F 10/16 ,  C22C 45/00 ,  H01F 19/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-122000
  
• 特開昭53-133505
  
• 特開昭63-119209