特許

J-GLOBAL ID：200903045523712879

高エネルギーイオン注入による半導体装置の製造方法

発明者： 登木口 克己 ,  作道 訓之 ,  雨宮 健介 ,  伊藤 純也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106560
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318559
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 MeV級の高エネルギーイオンが1014個/cm2以上の高濃度で打込まれたシリコン基板の熱処理後の残留2次欠陥の発生を抑制する。【構成】 シリコン基板に不純物導入用のイオンを打ち込んだ後、不純物導入用のイオンを打ち込み時のエネルギーレベルと異なるエネルギーレベルで希ガスイオンを追加打込みして不純物導入用イオン打込み層と基板表面の間を連続した非晶質層となし、その後熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に不純物導入用のイオンを200keVからMeV領域の高エネルギーで加速して所定の量だけ注入し、その後、基板を熱処理する半導体装置の製造方法において、上記不純物導入用のイオン注入の後に、該不純物導入用のイオンと同一のイオンを前記不純物導入用のイオン注入時のエネルギーとは異なる別のエネルギーで注入してシリコン基板表面から不純物イオン注入深さまでの領域を非晶質化し、その後シリコン基板を熱処理することを特徴とする高エネルギーイオン注入による半導体装置製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-009615
  
• 特開平2-263435
  
• 特開平4-015950
  
• 特開昭63-124520
  
• 特開平2-174237