特許

J-GLOBAL ID：200903045529672275

集積半導体装置

発明者： 瀬戸 一弘
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281166
公開番号（公開出願番号）：特開2001-101368
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 非接触型ICメモリ装置として用いられる集積半導体装置を低コストで製造するとともに高品質とする。【解決手段】 基板1上に形成されたメモリ部2と電気容量素子との間には絶縁層3,5が配置されている。電気容量素子はスルーホールを介してメモリ部に結合されている。電気容量素子はそれぞれ電極層として用いられる導体層6及び10を備えており、コイル素子8はこれら導体層間に配設されている。コイル素子と導体層との間には絶縁層7,9が配置されており、コイル素子の巻き始め端及び巻き終り端はスルーホールを介してそれぞれ導体層6及び10に電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され情報を記録するメモリ部を有し、該メモリ部が非接触でアクセスされる集積半導体装置において、前記基板上には電気容量素子及びコイル素子を備えるアンテナ部が形成されており、該アンテナ部を介して前記メモリが非接触でアクセスされるようにしたことを特徴とする集積半導体装置。

IPC (3件)：

G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 27/10 481

FI (3件)：

H01L 27/10 481 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K

Fターム (16件)：

5B035AA03 ,  5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA07 ,  5F083LA21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR38 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12