特許
J-GLOBAL ID：200903045531938452
可燃性ガス検出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-310177
公開番号（公開出願番号）：特開2004-144627
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】Si化合物等に対する耐被毒性及び耐高温高湿性に優れた可燃性ガス検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の可燃性ガス検出素子は、半導体基板と、その表面に形成された絶縁層と、その表面に形成されたヒータ31と、絶縁層及びヒータの表面に形成された保護絶縁層6と、その表面であってヒータに対応する部分に形成された触媒層32とを備え、触媒層の表面粗さ(Ra)が30nm以上、特に50nm以上、更には70nm以上である。触媒層はPdを含有することが好ましい。また、この素子は、15体積%以上のPdを含有する触媒層を備える粗面化処理前の素子の、少なくとも触媒層を、素子の使用予定温度より高い温度域で水素雰囲気に曝露させることにより製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に形成されたヒータと、該絶縁層及び該ヒータの表面に形成された保護絶縁層と、該保護絶縁層の表面であって該ヒータに対応する部分に形成された触媒層とを備える可燃性ガス検出素子において、該触媒層の表面粗さ(Ra)が30nm以上であることを特徴とする可燃性ガス検出素子。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G01N27/16 B
, G01N27/16 C
, G01N27/16 Z
2G060AA01
, 2G060AB03
, 2G060AE19
, 2G060AF07
, 2G060AG10
, 2G060AG15
, 2G060BA03
, 2G060BB02
, 2G060BB09
, 2G060BB18
, 2G060HB06
, 2G060HC07
, 2G060HC18
, 2G060HD03
, 2G060JA01
