特許
J-GLOBAL ID：200903045538180695
多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117213
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307935
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 加工精度が高く、速やかに加工を行うことができる多層配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 薄膜多層形成工程では、セラミック基板1上に、内部配線層3、層間接続ビア5、層間絶縁層7、及びキャビティメッキ部9からなる層構造を、順次積層形成して多層構造とする。このとき、キャビティメッキ部9を積層形成して柱状とする。研磨工程では、最上部の層間絶縁層7を研磨して平坦化する。フォトリソ工程では、層間絶縁層7等の表面全体に、レジスト21を形成し、レジスト21のうちキャビティメッキ部9の上方のレジスト21のみを除去する。エッチング工程では、ウエットエッチングにより、キャビティメッキ部9を除去してキャビティ10を形成する。レジスト除去工程では、レジスト21を除去する。
請求項（抜粋）：
内部配線層と、該内部配線層に接続する層間接続ビアと、前記内部配線層を絶縁する層間絶縁層とを有する層構造を、複数積層して多層構造とするとともに、前記積層された層間絶縁層にわたるキャビティを形成する多層配線基板の製造方法であって、前記層間接続ビアを形成する際に前記キャビティ形成部分に後のエッチングによって除去可能な物質を充填する処理を行ない、該処理を前記層構造を形成する毎に繰り返して多層構造を形成し、その後エッチングにより前記キャビティ形成部分の充填物質を除去してキャビティを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
FI (2件)：
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
