特許

J-GLOBAL ID：200903045538666989

基体の処理方法

発明者： 福田 航一 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101979
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270405
出願日： 1996年03月31日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基体表面に残存する水分子と有機系不純物を除去できるため、絶縁耐圧が従来よりも良好である絶縁膜がえられる基体の処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の基体の処理方法は、少なくとも排気手段を備えた気密室と、少なくとも排気手段を備え、前記気密室と開閉部を介して隣接する処理室を有する基体処理装置を用い、前記気密室内に設置された基体が前記処理室に移動する前に、前記基体を前記気密室内で予備加熱する工程、及び、前記基体が設置された前記気密室内を窒素ガスで置換する工程を行うことを特徴とする。また、前記気密室内に設置された基体が前記処理室に移動する前に、前記基体が設置された前記気密室内にオゾンガスを導入する工程を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも排気手段を備えた気密室と、少なくとも排気手段を備え、前記気密室と開閉部を介して隣接する処理室を有する基体処理装置を用い、前記気密室内に設置された基体が前記処理室に移動する前に、前記基体を前記気密室内で予備加熱する工程、及び、前記基体が設置された前記気密室内を窒素ガスで置換する工程を行うことを特徴とする基体の処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 29/78 627 Z