特許

J-GLOBAL ID：200903045541049672

半導体装置およびその製造方法

発明者： 森原 敏則
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136407
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 サイドウォールスペーサ状にゲート電極を形成する縦型のMOS型電界効果トランジスタを、微細化にともなうトランジスタ特性の劣化を生じることなく形成する。【構成】 ゲート電極36をサイドウォールスペーサ状に自己整合的に形成する活性層33の開口32の形状を、円柱状あるいは楕円柱状にすることにより、チャネル領域が曲面状になるため、ゲート電極36の幅が一定の場合に比較的大きな面積が確保される。その結果、微細化にともなうナロー効果によるしきい値電圧の増加を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

境界を有するソース領域と、このソース領域の前記境界と略均一の間隔で並行して延びる境界を有するドレイン領域と、前記各境界の間の領域で定義されるチャネル領域と、前記チャネル領域の表面上に、ゲート絶縁膜を介在させて形成させたゲート電極とを備え、前記各境界は、前記チャネル領域の前記表面に平行な面内において湾曲し、あるいは折れ曲がりながら延びている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 29/78 301 V ,  H01L 27/10 325 H ,  H01L 29/78 321 H