特許
J-GLOBAL ID：200903045548852160
発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204852
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026385
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 p型側電極の面積の制約がなく、製作が容易で発光効率ならびに可視光の光取り出し効率が良好であり、高輝度化に富む高い発光出力の発光ダイオードを提供する。【解決手段】 SiC基板11上にバッファ層12を介在させて成長させた青〜緑色領域の光を発光するInGaNを含む窒化物化合物半導体からなる発光層14と、発光層14の上に形成された導電性材料からなる光を反射する少なくとも1層以上のDBR層16(分布ブラッグ反射膜)と、DBR層16側に形成された第1電極18およびSiC基板11側に形成された光に透明な第2電極19を備え、発光層14から発光された光は、DBR層16により光が反射されて発光層14を通過し光に透明な第2電極19を有するSiC基板11側から取り出されて発光するように構成されたことを特徴とする発光ダイオードを提供する。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介在させて成長させた窒化物化合物半導体からなる発光部と、前記発光部の上に形成された導電性材料からなる光を反射する少なくとも1層以上の反射器と、前記反射器側に形成された第1電極および前記基板側に形成された第2電極を備え、前記発光部から発光された光は、前記反射器により光が反射されて前記発光部を透過し前記第2電極を有する前記基板側から取り出されて発光するように構成されたことを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (17件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA14
, 5F041AA21
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CB15
, 5F041FF01
