特許

J-GLOBAL ID：200903045549547205

プラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置

発明者： 上田 友彦
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-148172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347277
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 プラズマアッシング処理の効率を向上させることのできるプラズマアッシング方法及びそのプラズマアッシング装置を提供する。【解決手段】 試料1の表面に付着した被除去物2にプラズマガス14を照射して被除去物2を除去すると共に、排出口9から除去した除去物を含むプラズマガスを排ガスとして排出するプラズマアッシング方法において、試料のプラズマアッシング処理面が、プラズマアッシング処理をしている際の試料1の下面となるように試料1を配置し、プラズマアッシング処理面の下方からプラズマガスを照射するプラズマアッシング方法およびそのプラズマアッシング装置。

請求項（抜粋）：

試料の表面に付着した被除去物にプラズマガスを照射して被除去物を除去すると共に、排出口から除去した除去物を含むプラズマガスを排ガスとして排出するプラズマアッシング方法において、試料のプラズマアッシング処理面が、プラズマアッシング処理をしている際の試料の下面となるように試料を配置し、プラズマアッシング処理面の下方からプラズマガスを照射することを特徴とするプラズマアッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

B01J 19/08 H ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 104 H

Fターム (21件)：

4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075BC10 ,  4G075BD04 ,  4G075CA25 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075EA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075ED15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB17 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26