特許
J-GLOBAL ID：200903045554785050
集積半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280162
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102524
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 基板内部に発生する環状電流を抑制でき、周波数特性が向上されて高いインダクタンス値並びにQ値を有する集積半導体装置を提供すること。【解決手段】 この集積半導体装置は、P型シリコン基板1上にMOSトランジスタ2,ダイオード素子3,及びインダクタ素子4を酸化シリコン膜による電気絶縁層6を介して高濃度に燐がドーピングされた低抵抗シリコン配線パターン5をスパイラル状にパターン化した上で電気絶縁層7を介してパターン5の両端部を金属膜配線パターン8で配線引き出しすることで形成している他、インダクタ素子4の直下のシリコン基板1の表面から内部に電圧を印加して空乏層12を形成可能な構造としてコンタクトホール10を有する導体膜パターン11と接続されたN型不純物拡散層9が形成されており、インダクタ素子4により生成される磁束が空乏層12を通過して磁束を打ち消す環状電流の発生が抑制される。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に複数の電気回路素子が集積形成されると共に、インダクタンスを得るためのインダクタ素子を少なくとも一つ有する集積半導体装置において、前記半導体基板における前記インダクタ素子の直下の局部は、電圧を印加して空乏層を形成可能な構造であることを特徴とする集積半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (2件)：
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