特許
J-GLOBAL ID：200903045556870755
層間絶縁膜の形成方法および多層配線デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244376
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055391
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 LSIの高集積化に対応できる信頼性の高い多層配線を得ることが可能である。【構成】 SOG膜+エッチバックを基本工程とする平坦化プロセスを層間絶縁膜の形成に用いる際、SOG膜の形成についてはこれを複数回繰返して多層SOG膜を形成し、しかる後にエッチバックを行う。多層SOG膜の形成は、具体的には、配線パターン31上にCVD膜32を形成後、CVD膜32上に第1層目のSOG33を塗布し、次いで、第2層目のSOG34を塗布し、次いで第3層目のSOG35を塗布してなされ、この場合には、配線パターン31の配線パターン間隔Wが狭くても、第3層目のSOG35を形成した時点で平坦性が確保でき、また、配線パターン31の配線パターン間隔Wが広い場合でも、第3層目のSOG35を形成した時点で平坦性が確保できる。
請求項（抜粋）：
SOG膜を形成し、しかる後にエッチバックを施す工程を用いる層間絶縁膜の形成方法において、前記SOG膜を多層のものとして形成するようになっていることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/316
