特許

J-GLOBAL ID：200903045558561016

半導体記憶装置

発明者： 前田 敏夫 ,  垂石 敏伯
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298878
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 汎用DRAMと互換性を保ちながら、低消費電力のためパワ-ダウンする機能を持つシステムや、バックアップ電池でデ-タを保持するメモリカ-ド等へのDRAMの適用を可能にする。【構成】 周辺回路がBi-CMOS回路で構成されたダイナミックRAMのチップ内に電源電圧のレベルを判定する回路を設け、外部からの供給電圧が規格(判定レベル)を下回るレベルに落ちたときに通常のリ-ド/ライト動作を止め、低電圧で動作するリフレッシュ回路だけを動作させ、デ-タ保持を行なわせるようにした。【効果】 通常の電源電圧では周辺回路が高速動作し、電源電圧レベル低下時には自動的に周辺回路の動作が停止した低消費電力モードに切り替わってデ-タを保持できる。

請求項（抜粋）：

電源電圧のレベル判定回路を備え、電源電圧が設定値を下回るとリフレッシュ回路のみ動作し、他の回路は動作を停止するように構成されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/401 ,  G06F 12/16 340 ,  G11C 11/406

FI (2件)：

G11C 11/34 371 G ,  G11C 11/34 363 N