特許
J-GLOBAL ID：200903045559495785
多層セラミック回路基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003473
公開番号（公開出願番号）：特開平5-191047
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 多層セラミック基板の製造方法に関し、層間剥離と導体線路近傍での空隙部の発生をなくすることを目的とする。【構成】 金属箔をパターン形成した導体線路を高分子よりなるキャリアフィルム上に貼着した後、このキャリアフィルム上にスラリーを塗布した後に乾燥させて、導体線路を下部に備えたグリーンシートを作る工程と、このグリーンシートにバイアを穴開けして後、導体ペーストをバイアに充填してバイアホールを形成する工程と、グリーンシートを位置合わせして積層し、加圧して一体化した後に焼成する工程とを含むことを特徴として多層セラミック回路基板の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
金属箔をパターン形成した導体線路を高分子よりなるキャリアフィルム上に貼着した後、該キャリアフィルム上にスラリーを塗布した後に乾燥させて、導体線路を下部に備えたグリーンシートを作る工程と、該グリーンシートにバイアを穴開けして後、導体ペーストを該バイアに充填してバイアホールを形成する工程と、該グリーンシートを位置合わせして積層し、加圧して一体化した後に焼成する工程と、を含むことを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
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