特許

J-GLOBAL ID：200903045561947251

半導体製造装置

発明者： 藤本 貴行 ,  池田 文秀 ,  宮 博信
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064325
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273873
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】高性能の薄膜を成膜することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設置され、成膜対象物が載置される載置部と、前記チャンバ内に原料を供給する原料供給部と、を有し、前記原料供給部は、原料液が溜められる原料液タンクと、前記原料液タンクから供給された前記原料が吐出される原料液吐出部と、前記原料液吐出部で吐出された原料液滴が気化される気化部と、を備え、前記原料液吐出部はピエゾ素子を備えることを特徴とする半導体製造装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバと、 前記チャンバ内に設置され、成膜対象物が載置される載置部と、 前記チャンバ内に原料を供給する原料供給部と、を有し、 前記原料供給部は、 原料液が溜められる原料液タンクと、前記原料液タンクから供給された前記原料が吐出される原料液吐出部と、前記原料液吐出部で吐出された原料液滴が気化される気化部と、を備え、 前記原料液吐出部はピエゾ素子を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/448

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/448

Fターム (9件)：

4K030AA11 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  5F045AA04 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04