特許

J-GLOBAL ID：200903045564696799

半導体装置の製造方法

発明者： 渡久山 佳和 ,  山賀 重來
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019434
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210667
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 アップサイドアップでフリップチップボンディングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に複数の電極パッドが形成された半導体基板に、裏面側から貫通孔を形成する。その後、貫通孔内をメッキ金属で充填する。半導体基板の裏面側をエッチングすることで、メッキ金属を露出させる。露出したメッキ金属を金属バンプとする。このような構造の半導体装置では、半導体基板の裏面側に金属バンプが突出する構造となるので、アップサイドアップで実装基板等にボンディングすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に設けられた電極パッドと、前記半導体基板裏面側から前記電極パッドに達する貫通孔と、該貫通孔を通り、前記半導体基板の裏面側に突出するバンプ電極とを備えた半導体装置の製造方法において、半導体基板表面に電極パッドを形成する工程と、前記半導体基板裏面側から、前記電極パッドに達する貫通孔を形成する工程と、該貫通孔内をメッキ金属で充填する工程と、前記半導体基板裏面側を厚さ方向に部分的にエッチング除去し、前記メッキ金属を突出させ、バンプ電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/92 602 A ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 Q ,  H01L 23/12 L