特許
J-GLOBAL ID：200903045566866403
半導体装置の外囲器の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270758
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139117
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 型構造が簡単であって、異なる外囲器形状に対し容易に対応することができる半導体装置の外囲器の形成方法を提供する。【構成】 リードフレーム28に搭載された半導体チップ27等の封止部分の周囲を下弾性枠24、上弾性枠31で囲い、その内側部分に封止樹脂26を供給して溶融状態とし、さらに内側の封止樹脂26を下型23と上型34により下弾性枠24及び上弾性枠31を上下方向に弾性変形させるようにしながら加圧硬化させる構成となっている。そして、封止樹脂26の供給量がばらついた場合には、下弾性枠24及び上弾性枠31の弾性変形量が変化することで複雑な型構造をとることなくばらつきが吸収でき、外囲器の形状が変わる場合には、それに対応する製作容易な下弾性枠24及び上弾性枠31を切り換えるだけで簡単に異なる形状に対応することができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップを含む封止部分を、封止樹脂を成形することによって所定形状の外囲器により封止するに際し、前記封止部分の周囲を弾性材料でなる枠で囲うと共に該枠で囲まれた内側部分に封止樹脂を供給し溶融状態とし、前記枠内に前記封止樹脂を閉じ込めるように設けた金型により該枠を弾性変形させると共に該封止樹脂を加圧硬化させることを特徴とする半導体装置の外囲器の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, B29C 45/26
, B29C 45/56
, B29L 31:34
