特許

J-GLOBAL ID：200903045567049131

半導体装置の製造方法

発明者： 盛一 正成
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008004
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】メカクランプ機構を備えたドライエッチング装置を用いてSiウェハー上に形成されたSiO2 膜をエッチングする際、クランプリング近傍のエッチレートの低下を防止する。【構成】Heガスを含む不活性ガスを、ハロゲン化炭素系ガスの10倍以上を供給し、且つ不活性ガス中に含まれるHeガスの流量比を少なくとも20%に設定する。これによりウェハー周辺部まで均一にエッチングすることが出来、ウェハーの収率が向上する。

請求項（抜粋）：

ウェハーのクランプ機構を備えたドライエッチング装置を用いてシリコンウェハー上に形成された酸化シリコン膜をエッチングする半導体装置の製造方法において、エッチングガスとしてハロゲン化炭素系ガスとこのハロゲン化炭素系ガスの10倍以上の不活性ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-283391