特許
J-GLOBAL ID：200903045568059858
MIS型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016250
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222941
出願日： 2001年01月24日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 MIS型半導体装置において、ボロンの突抜を防止するために、ゲート絶縁膜としてシリコン窒化酸化膜を形成し、かつシリコン窒化酸化膜中の窒素がゲート絶縁膜とシリコン基板との界面に窒素が集中することを防止し、NBTIによるトランジスタの特性不良を防止する。【解決手段】 シリコン窒化酸化膜5からなるゲート絶縁膜を有するMIS型半導体装置の製造方法において、(a)シリコン基板1を、活性酸素種を含むガスで酸化してシリコン酸化膜3を形成する工程、(b)シリコン酸化膜3をプラズマ窒化処理することにより、表面が窒化されたシリコン窒化酸化膜5を形成する工程を含める。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜の表面が窒化処理されたシリコン窒化酸化膜からなるゲート絶縁膜を有するMIS型半導体装置であって、ゲート絶縁膜が窒素濃度のピークを該ゲート絶縁膜の表面から深さ1.5nm以内に有することを特徴とするMIS型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 G
5F040DA06
, 5F040DA08
, 5F040DB03
, 5F040DC01
, 5F040DC08
, 5F040DC09
, 5F040ED01
, 5F040ED03
, 5F040ED07
, 5F040EK01
, 5F040EK05
, 5F058BA20
, 5F058BC11
, 5F058BF55
, 5F058BF62
, 5F058BH16
, 5F058BJ10
