特許
J-GLOBAL ID:200903045573334255
積層コンデンサ用誘電体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
阿形 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-089249
公開番号(公開出願番号):特開平5-090066
出願日: 1991年03月29日
公開日(公表日): 1993年04月09日
要約:
【要約】【構成】 鉛系複合ペロブスカイトから成る積層コンデンサ用誘電体を製造するに当り、焼成に先立って行うバーンアウトを、水素と水蒸気と不活性ガスから成り、水素濃度0.01〜1000ppm、水素と水蒸気のモル比の対数が-8ないし-2の範囲にある雰囲気中で室温から600°Cまで保持して行う。【効果】 残留炭素による比誘電率の低下や、酸化銅の拡散による寿命時間の短縮という欠点のない積層セラミックコンデンサを与える。
請求項(抜粋):
原料混合物に仮焼、粉砕、成形、バーンアウト、焼成の処理を施して鉛系複合ペロブスカイトから成る積層コンデンサ用誘電体を製造するに当り、バーンアウトを水素と水蒸気と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で行い、かつ室温から600°Cまでの温度範囲で該混合ガス中の水素濃度を0.01〜1000ppmの範囲に保つとともに、水素と水蒸気とのモル比を[水素/水蒸気]としたとき、【数1】の関係が維持されるように制御することを特徴とする積層コンデンサ用誘電体の製造方法。
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