特許

J-GLOBAL ID：200903045575750752

半導体装置の製造装置,及び半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 弘之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222496
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上へのシミの発生や,レジストの再付着を防いで、レジスト等の膜を除去することができる半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 レジスト膜4を備えた半導体基板1を容器3内に収容して密封し、この容器3を満たすように上記レジスト膜4を剥離可能な液相の有機溶剤2を供給してレジスト膜4を剥離した後、上記容器3の下部から上記有機溶剤2を上記レジスト膜4とともに排出すると同時に、上記容器3の上部から、IPA蒸気5を供給して容器3内をIPA蒸気5で満たした後、該IPA蒸気5を除去し、上記半導体基板1を乾燥させるようにした。

請求項（抜粋）：

その表面に所定の溶剤により溶解可能な膜を有する半導体基板を内部に収容する,密封可能な容器と、該容器に接続され、該容器を満たすように上記膜を溶かして剥離することのできる,液相の第1の溶剤を供給する第1の溶剤供給手段と、該容器の下部に接続され、該容器内の上記膜を溶解している上記第1の溶剤を排出する排出手段と、該容器の上部に接続され、該容器内の上記第1の溶剤を上記排出手段により排出するのと同時に、上記容器内に上記第1の溶剤より揮発性の低い第2の溶剤からなる蒸気を供給する第2の溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 361

FI (3件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 361 V