特許

J-GLOBAL ID：200903045576120680

導波形単一量子井戸光制御素子

発明者： 脇田 紘一 ,  山中 孝之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333257
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191288
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 超高速で低電圧駆動可能な光結合効率が高い高性能かつ小形の光制御素子を提供する。【構成】 MQW層を単一として層に垂直な電界を印加できるようにし、かつ、その周りの障壁層のポテンシャル形状を電界によって変わりにくいようにして、電界による吸収係数変化を大きくし、また、量子井戸構造を傾斜形にして電界効果を大きくし、かつ、シングルモード光ファイバを伝搬する光のスポット径に近いスポット径にして結合損失を低減する。

請求項（抜粋）：

厚さが励起子のボーア半径より薄い第1のバンドギャップエネルギを持つ第1の半導体の層を中心コアとして、この周りを所定の厚さのこれより大きな第2のバンドギャップエネルギを持つ第2の半導体の層で挟み、これを第2のバンドギャップエネルギより大きな第3のバンドギャップエネルギを持つ第3の半導体の層で挟み、さらに、これを第3のバンドギャップエネルギよりも大きな第4のバンドギャップエネルギを持つ第4の半導体の層で挟んだ多層異種構造から構成される分離光閉じ込め単一量子井戸導波構造を有し、前記第1と第2のバンドギャップエネルギの差のうち伝導帯でのバンドギャップエネルギの差が0.15eV以上であり、不純物の添加量の違いにより上記多層異種構造の両側の導電形が互いに異なっており、外部からの上記多層異種構造への電圧の垂直印加が可能となっていることを特徴とする導波形単一量子井戸光制御素子。