特許
J-GLOBAL ID：200903045578164889
p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112438
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない良質のp型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 本発明方法を実施するMOCVD装置10は、基板Wを保持するサセプタ12を内部に有する反応管14と、TMG(トリエチルガリウム)を収容し、水素ガスによるバブリングにより供給ライン18を経由して反応管14にTMGガスを供給するバブラー20Aを備えている。反応管14内に基板Wを設置し、1000°Cに昇温し、次いで、水素ガスをバブラー20Aに供給することによりTMGガスを反応管14に導入し、p型ドーパントとして炭素原子が導入されたGaN:C結晶を基板Wの上にエピタキシャル成長させた。この結果、結晶欠陥の少ない良質のGaN:C結晶が得られた。
請求項（抜粋）：
元素周期律表の第III族元素を有する原料、第V族元素を有する原料及びp型ドーパントを用いてp型窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる方法において、p型ドーパントとして第IV族元素に属する炭素原子を有する物質を使用し、窒化物系III-V族化合物半導体を構成する第V族元素の窒素原子を炭素原子で置換することを特徴とするp型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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