特許

J-GLOBAL ID：200903045578923542

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 小池 正好 ,  手銭 雄太 ,  平松 敏夫 ,  永井 誠二
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345281
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】GaN層31を基板面から遠ざかるにしたがってその水平断面積が0に近づくよう、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングする。GaN層31上全体にエッチ可能なマスク4を形成し、次いでマスク4をエッチして島状態のGaN層31の頂上部Tのみを露出させる。マスク4から露出したGaN層31の頂上部Tを核として、GaN層32を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層31からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。

請求項（抜粋）：

基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層をエッチングにより、基板面から遠ざかるにしたがってその水平断面積が0に近づくよう、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態とする工程と、島状態の第1のIII族窒化物系化合物半導体の頂上付近のみが露出するようなマスクを形成する工程と、前記マスクから露出した第1のIII族窒化物系化合物半導体の頂上付近を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610