特許

J-GLOBAL ID：200903045590024065

垂直集積された磁気メモリ

発明者： ペクザルスキ,アンドルゼイ ,  ベルント,デイル・エフ ,  デトリー,ジェイムズ・エフ
出願人/特許権者： ハネウェル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592833
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534790
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】【課題】 垂直統合された磁気メモリを提供する【解決手段】 サブストレート上に形づくられた閉ループ磁性構造と、サブストレート上の前記閉じたループ磁性構造内にを形成された半導体とを有するホール効果メモリー。

請求項（抜粋）：

サブストレート上に形づくられた閉ループ磁性構造と、 サブストレート上の前記閉じたループ磁性構造内にを形成された半導体とを有するホール効果メモリー

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/06

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  H01L 43/06 S ,  H01L 43/06 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083HA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083PR36