特許

J-GLOBAL ID：200903045592042338

Re-Ba-Cu-O系超電導薄膜形成体及びその製造方法

発明者： 水嶋 康之
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090206
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255336
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 高いTcを有するReBCO系(但し、ReはY以外の希土類元素)超電導薄膜が形成された超電導薄膜形成体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 まず、MOCVD法により基板上にY123相からなるバッファ層をヘテロエピタキシャル成長させ、次いで、MOCVD法により該バッファ層上にRe123相をヘテロエピタキシャル成長させて、Re123相からなる超電導薄膜を成膜する。基板に比べてRe123相との格子ミスマッチの小さいY123相を、基板と超電導薄膜との間に設けてバッファ層とすることにより、基板上にRe123相を直接成長させた場合に比べてRe123相の格子歪みが緩和される。この格子歪みの緩和によりRe123相のTcが向上する。また、格子歪みの緩和によりBaとReとの置換が抑制され、Tcがさらに向上する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にヘテロエピタキシャル成長により形成されるY-Ba-Cu-O系化合物からなるバッファ層と、該バッファ層上にヘテロエピタキシャル成長により形成されるRe-Ba-Cu-O系化合物(但し、ReはY以外の希土類元素)からなる超電導薄膜とから構成されるRe-Ba-Cu-O系超電導薄膜形成体であって、該バッファ層はYBa2 Cu3 O7-y 組成であり、該超電導薄膜はReBa2Cu3 O7-x 組成であることを特徴とするRe-Ba-Cu-O系超電導薄膜形成体。

IPC (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 E ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B ,  C04B 35/00 ZAA