半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041156
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232445
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】ゲート多結晶シリコンに空乏層を生じないnMOSトランジスタとボロンの突き抜けを生じないpMOSトランジスタとによる相補型MOSトランジスタを提供し、またそのようなトランジスタを充分プロセスマージンで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】CMOS構造の半導体装置において、nMOSトランジスタの多結晶シリコンゲートはn型であり、pMOSトランジスタの多結晶シリコンゲートはp型であり、かつnMOSトランジスタの砒素含有の多結晶シリコンゲートの膜厚はpMOSトランジスタのボロン含有の多結晶シリコンゲートの膜厚より薄く形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にnチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとpチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとを設けた半導体装置において、前記nチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタの多結晶シリコンゲートはn型であり、前記pチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタの多結晶シリコンゲートはp型であり、かつ前記nチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタの多結晶シリコンゲートの膜厚は前記pチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタの多結晶シリコンゲートの膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-032260
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-301916 出願人：株式会社東芝
特開平4-254371

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