特許
J-GLOBAL ID：200903045596983749
金バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354867
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175200
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 金バンプを保護する感光性レジストを不要にできて感光性レジストのフォトリソグラフィー工程を省略できて、金バンプ形成の能率を向上でき、また金バンプをエッチングせず、不良バンプの発生を大幅に減少でき、半導体素子実装時の信頼性を向上できる金バンプ形成方法を提供する。【構成】 ウェハー上の各チップの外周部の電極パッド2上にパラジウムをバリヤメタル4,5として金バンプ7を形成した後、塩酸と硝酸を体積比で5:1000の割合で混合した混酸よりなるエッチング液を用いて、金バンプ下側以外のバリヤメタルをエッチングして除去することを特徴とする金バンプ形成方法。
請求項（抜粋）：
ウェハー上の各チップの外周部の電極パッド上にパラジウムをバリヤメタルとして金バンプを形成した後、塩酸と硝酸を体積比で5:1000の割合で混合した混酸よりなるエッチング液を用いて、金バンプ下側以外のバリヤメタルをエッチングして除去することを特徴とする金バンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/308
