特許
J-GLOBAL ID：200903045598437687
ストライプレーザダイオードおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250280
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045708
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄効率の向上したストライプレーザダイオードをMOCVD法により形成するレーザダイオードの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 レーザダイオードのクラッド層をInGaAlPのMOCVD成長で形成する場合に、ソースガスにMgのドーパントガスを混入し、結晶面の面方位によらず一様なドーパント濃度を達成する。またソースガスにZnとSeのドーパントガスを混入し、ストライプレーザダイオードのストライプ構造部分に電流が集中するようにドープレベルを設定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に第1のストライプ構造を、前記第一のストライプ構造が所定方向に互いに平行に延在する結晶学的に非等価な複数の面により構成されるように形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1のストライプ構造を含むように、InGaAlP層をIn,Ga,Al,Pを含むソースガスの分解により、前記半導体基板に対してエピタキシー関係を維持しながら形成し、その際前記InGaAlP層に第2のストライプ構造を、前記第2のストライプ構造が前記第1のストライプ構造を構成する前記結晶学的に非等価な面の各々に対応する結晶学的に非等価な複数の面により構成されるように形成する工程とを含むレーザダイオードの製造方法において、前記InGaAlP層が成長する間に、Mgを含むソースガスを前記In,Ga,Al,Pを含むソースガスに加えることにより、前記InGaAlP層が、前記第2のストライプ構造を構成する結晶面に無関係に実質的に一様にp型にドープする工程を特徴とするストライプレーザダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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