特許
J-GLOBAL ID：200903045601537450
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259165
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 スクライブ領域に臨むストリンガが最上層の金属配線層から形成されない様にして、製造歩留りや信頼性を高める。【構成】 最上層のAl配線層の直下の層間絶縁膜21のうちでスクライブ領域13に臨んでいる周縁部21aの段差部を、最上層のAl配線層からパターニングされたAl層22が覆っている。このため、最上層のAl配線層を異方性エッチングでパターニングしても、層間絶縁膜21の周縁部21aにおける段差部に、最上層のAl配線層のストリンガが側壁状に残ることがない。従って、このストリンガが剥離したり、剥離したストリンガが半導体ウェハ11上に飛散したりすることもない。
請求項（抜粋）：
複数層の金属配線層を有する半導体装置において、最上層の前記金属配線層の直下の層間絶縁膜のうちでスクライブ領域に臨んでいる周縁部の段差部を覆う様にパターニングされている前記最上層の金属配線層を有する半導体装置。
引用特許：
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