特許
J-GLOBAL ID：200903045609118040
マスクを通じてまた選択的にこのマスクを閉じて全面的な層を析出するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-523756
公開番号（公開出願番号）：特表平8-511092
出願日： 1994年05月05日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：
【要約】マスクを通じての種々の方向からの析出により層がこのマスクの下側に全面的に最終的に被覆される。マスクはその際に被覆領域内ではベース面から空洞により隔てられており、また被覆領域の外側ではそれと固定的に結合されている。この方法はガスセンサとして利用されるSGFET(サスペンディッドゲート電界効果トランジスタ)に対して特に有利である。マスクはその際にゲートも形成し、また感応層が析出の後に爾後のプロセスに曝されない。マスクはその後に開いたままにとどめられ、または開口がマスク内で側方に成長するような大きな量の析出により、または平坦な角度のもとでの追加的な層の析出により閉じられる。この方法はマイクロメカニックなダイアフラムの製造のためにも適している。
請求項（抜粋）：
1つの面の上に、この面と固定的に接続されておりまた固定的に接続されている状態にとどまるマスクの下側の層を析出することによりセンサを製造するための方法において、マスクと面との間に空洞が存在し、また全面的な被覆がマスクの下側で、すなわちマスクの各部分が析出の際にコアシャドウを面の上に形成することなしに可能であるように、種々の方向からの析出が行われることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
G01N 27/00
, G01L 1/18
, G01L 9/00
, G01N 29/00 501
, G01P 15/08
G01N 27/00 J
, G01L 1/18
, G01L 9/00 Z
, G01N 29/00 501
, G01P 15/08
