特許

J-GLOBAL ID：200903045610019373

半導体装置の製造方法

発明者： 菅原 岳 ,  青井 信雄 ,  真弓 周一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213797
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に配線2及び配線2を覆うシリコン酸化膜3を形成し、その後、配線2及びシリコン酸化膜3の形成された基板1上に湿潤ゲル膜7を形成し、さらに湿潤ゲル膜7を超臨界乾燥法により乾燥して多孔質膜を形成し、多孔質膜の上にCVD法により絶縁膜を形成するとともに第2の配線6を形成する。

請求項（抜粋）：

配線の形成された基板上に湿潤ゲル膜を形成する工程と、前記湿潤ゲル膜を超臨界乾燥法により乾燥して多孔質膜を形成する工程と、上記多孔質膜の上にCVD法により絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95