特許

J-GLOBAL ID：200903045610031110

半導体装置

発明者： 田畑 光晴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104546
公開番号（公開出願番号）：特開2002-300017
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 コレクタ電流の検知精度を高めて、確実な短絡保護が可能な短絡保護機構を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 端子T1にコレクタCが接続され、端子T2にエミッタEが接続されたIGBT1が配設され、そのセンスエミッタSEは電流電圧変換部である可変抵抗VR1を介して端子T2に接続されている。そして、可変抵抗VR1のセンスエミッタSE側の端部からはセンス電位が出力され、電流比率検知部15の端子T11に与えられる構成となっている。なお、IGBT1のゲートは端子T3に接続され、電流比率検知部15の出力は端子T4に接続されている。

請求項（抜粋）：

センスエミッタを有するトランジスタと、前記センスエミッタに流れるセンス電流を検知して、コレクタ電流を制御する保護動作を行う保護機構とを備え、前記保護機構は、その抵抗値の変更により前記センス電流を異なる電圧に変換して複数のセンス電圧を生成する可変抵抗を有した電流電圧変換部と、前記電流電圧変換部から出力される前記複数のセンス電圧と、前記複数のセンス電圧に対応した前記可変抵抗の抵抗値に関する情報とを受け、各抵抗値に対する各センス電圧の比率を算出するとともに、算出された前記比率の変化量を検知する電流比率検知部と、を備える半導体装置。

IPC (5件)：

H03K 17/08 ,  H02H 3/08 ,  H02H 3/087 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/687

FI (5件)：

H03K 17/08 Z ,  H02H 3/08 T ,  H02H 3/087 ,  H02M 1/00 H ,  H03K 17/687 G

Fターム (26件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004CA04 ,  5G004DA04 ,  5G004DC04 ,  5G004DC05 ,  5G004EA01 ,  5G004FA01 ,  5H740BA13 ,  5H740MM11 ,  5J055AX64 ,  5J055BX17 ,  5J055BX44 ,  5J055CX01 ,  5J055DX22 ,  5J055EX02 ,  5J055EX34 ,  5J055EY01 ,  5J055EZ10 ,  5J055FX04 ,  5J055FX17 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX06