特許

J-GLOBAL ID：200903045611905121

磁気記憶装置およびその製造方法

発明者： 小室 善昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009514
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218324
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶する情報記憶装置に搭載される複数のTMR素子のトンネル絶縁層への局所的な電界の集中を回避してTMR素子の性能の向上と安定化を図る。【解決手段】 第1強磁性体層(磁化固定層302)とトンネル絶縁層303と第2強磁性体層(記憶層304)とからなる積層構造を有する磁気記憶素子(TMR素子13)を備えた磁気記憶装置1において、トンネル絶縁層303は、鏡面に形成された第1強磁性体層(第2磁化固定層308)表面に形成されているものであり、またTMR素子13内に配置される反強磁性体層305の第1強磁性体層(磁化固定層302)が形成される表面が鏡面に形成されていてもよい。

請求項（抜粋）：

第1強磁性体層とトンネル絶縁層と第2強磁性体層とからなる積層構造を有する磁気記憶素子を備えた磁気記憶装置において、前記トンネル絶縁層は、鏡面に形成された前記第1強磁性体層表面に形成されていることを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (21件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA19 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40