特許
J-GLOBAL ID：200903045618544892
六方晶半導体リング共振器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256644
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125251
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体リング共振器およびその製造方法に関するもので、成長工程による端面反射鏡形成により微小で共振器損失の小さい半導体リング共振器を提供する。【構成】 基板101上に酸化膜102を堆積し、酸化膜102をエッチングして成長領域パターンを形成する。成長領域パターン上に、下クラッド層103を有機金属気相成長法により、基板101と垂直な方向に成長する。次に成長温度を低くして基板101と平行な方向に成長する。再び成長温度を高くして基板101と垂直な方向にさらに成長し、前記下クラッド層102上に活性層104を成長する。活性層104上に上クラッド層105を成長して、垂直かつ平滑な低損失端面反射鏡を備える微小な六方晶半導体共振器を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に積層した六角柱の下クラッド層と、前記下クラッド層上に積層した六角柱の活性層と、前記活性層上に積層した六角柱の上クラッド層とを有することを特徴とした六方晶半導体リング共振器。
IPC (3件)：
H01S 3/083
, G01C 19/66
, H01S 3/18
