半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133672
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330530
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】工程の煩雑化を招くことなくアルミニウム系配線を使用でき平坦性の良好なアンチフューズ素子を有する半導体装置及びその製造方法。【構成】半導体基板1上に形成された第1のアルミニウム系配線10-1上に層間絶縁膜としてポリイミドなどの塗布法で形成する絶縁膜を使用し、硬化膜12の所望の箇所にコンタクト孔5-1Bを開口した後、熱処理を行ない硬化膜12中の水分と有機溶剤を気化させると同時に、コンタクト孔内の第1のアルミニウム配線系10-1上に第3の絶縁膜を形成しアンチフューズ素子の絶縁膜として用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の絶縁膜を選択的に被覆する第1のアルミニウム系配線、前記第1のアルミニウム系配線に達するコンタクト孔を有し窒化シリコン膜及び塗布法と熱処理とで形成される第2の絶縁膜を含む層間絶縁膜、前記コンタクト孔の底部で前記第1のアルミニウム系配線の表面に前記熱処理で形成される第3の絶縁膜および前記コンタクト孔部で前記第3の絶縁膜を介して前記第1のアルミニウム系配線と連結して前記層間絶縁膜を選択的に被覆する第2のアルミニウム系配線でなるアンチフューズ素子を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/10 431 , H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/10 431 , H01L 21/82 F

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