特許
J-GLOBAL ID:200903045629211372
グラファイト状物質の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-114564
公開番号(公開出願番号):特開2002-316808
出願日: 2001年04月12日
公開日(公表日): 2002年10月31日
要約:
【要約】【課題】耐熱特性の良好な、しかも電子容易放出性を保持した電子源となり得るナノサイズのグラファイト状物質をより低い温度で、安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】炭素含有量が90%以上の線状高分子好ましくはポリアセチレン系重合体を熱処理しグラファイトに転換しグラファイト状物質を得る。
請求項(抜粋):
炭素含有量が90%以上の線状高分子を熱処理しグラファイトに転換することを特徴とするグラファイト状物質の製造方法。
Fターム (4件):
4G046EA03
, 4G046EB04
, 4G046EC02
, 4G046EC06
引用特許:
引用文献:
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