特許

J-GLOBAL ID：200903045629460640

積層バリスタおよびその製造方法

発明者： 中山 晃慶 ,  浦原 良一 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265805
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 特性変動を小さくし、静電気放電に対する破壊耐量を向上して信頼性を向上させるとともに、低温焼結が可能な積層バリスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ZnOを主成分とし、副成分として少なくともBiの酸化物を含有する半導体セラミック4と、Ptを主成分とし、かつ、不純物としてPdを含有する内部電極5とを交互に重ねた積層焼結体7と、内部電極5と電気的に接続する外部電極8とからなる積層バリスタ1であって、前記Pdの含有量を前記内部電極の主成分であるPtの0.1重量%以下とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ZnOを主成分とし、副成分として少なくともBiの酸化物を含有する半導体セラミックと、Ptを主成分とし、かつ、不純物としてPdを含有する内部電極とを交互に重ねた積層焼結体と、前記内部電極と電気的に接続する外部電極とからなる積層バリスタであって、前記Pdの含有量を前記内部電極の主成分であるPtの0.1重量%以下とすることを特徴とする積層バリスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-054009
  
• 特開昭55-009491
  
• 特開昭56-054009
  
• 特開昭55-009491