特許

J-GLOBAL ID：200903045634156410

電解めっき方法

発明者： 鈴木 優美 ,  大和田 伸郎
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331131
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129273
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの被めっき表面に形成されている凹部の埋込み不良を十分に防止するとともに、凹部の埋込み後において均一な膜厚を有する銅めっき膜を形成することのできる電解めっき方法の提供。【解決手段】Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を促進する促進剤を含む前処理液82を半導体ウェハWの被めっき表面に付着させ、被めっき表面に形成された凹部80の内面を前処理液82により濡らす第1ステップと、第1ステップの後、被めっき表面が濡れた状態にて該被めっき表面をめっき液14に浸漬し、半導体ウェハWをカソードとし、銅板をアノードとし、カソードとアノードとの間に所定の電圧を印加することにより、半導体ウェハWの被めっき表面に銅めっき膜を形成する第2ステップと、を含んでおり、めっき液14は、Cu2+イオンと、水と、促進剤と、Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を抑制する抑制剤とを含んでいることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を促進する促進剤を含む前処理液を半導体ウェハの被めっき表面に付着させ、前記被めっき表面に形成された凹部の内面を前記前処理液により濡らす第1ステップと、前記第1ステップの後、前記被めっき表面が濡れた状態にて該被めっき表面をめっき液に浸漬し、前記半導体ウェハをカソードとし、銅板をアノードとし、前記カソードと前記アノードとの間に所定の電圧を印加することにより、半導体ウェハの被めっき表面に銅めっき膜を形成する第2ステップと、を含んでおり、前記めっき液は、Cu2+イオンと、水と、前記促進剤と、前記Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を抑制する抑制剤とを含んでいること、を特徴とする電解めっき方法。

IPC (4件)：

C25D 3/38 101 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

C25D 3/38 101 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (11件)：

4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CA01 ,  4K023CB32 ,  4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024CA02 ,  4K024DA10 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52