特許
J-GLOBAL ID：200903045637225544
増幅型固体撮像装置及びその画素信号読出し方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001021
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195777
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 画素信号の振幅を大きくしダイナミックレンジを向上しつつ、容量性残像を減少し雑音の発生が減少できる増幅型固体撮像装置の提供。【解決手段】 増幅型固体撮像装置の垂直走査線操作回路10に中間電位発生回路10Bを備える。中間電位発生回路10Bは垂直走査線2に中間電位を供給し、この中間電位により選択画素の信号検出部にバイアス注入を行う。中間電位の供給はリセット用MISFETを通して行われ、中間電位はこのリセット用MISFETのしきい値電圧相当に設定される。非選択画素のリセット用MISFETは中間電位により基板効果でしきい値電圧が見かけ上上昇するので、垂直走査線2から信号検出部へのリーク電流が防止できる。この結果、リセット用MISFETのしきい値電圧は低く設定でき、信号検出部において画像信号の信号幅が大きくできる。
請求項（抜粋）：
光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された信号量を検出する信号検出部と、前記信号検出部で検出された信号を増幅し垂直信号線に出力する信号増幅用トランジスタと、前記信号検出部に垂直走査線からバイアス注入を行うリセット用MISFETとを有する画素が行列状に配列された増幅型固体撮像装置において、回路基準電位よりも高く回路電源電位よりも低い中間電位を前記垂直走査線に供給し、前記垂直走査線からリセット用MISFETを通して画素の信号検出部にバイアス注入を行う中間電位発生回路を備えたことを特徴とする増幅型固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 P
