特許

J-GLOBAL ID：200903045637827323

半導体集積回路装置

発明者： 吉川 浩一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069350
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】下層配線上の層間絶縁膜に設けるコンタクトホールの開孔精度を向上させ、上層配線とのコンタクト不良やコンタクト抵抗のばらつきを防止する。【構成】アルミニウム膜3と窒化チタン膜4の2層構造からなる下層配線を設けることにより、窒化シリコン膜6及びポリイミド樹脂膜からなる層間絶縁膜の上に設けたフォトレジスト膜8の露光時に窒化チタン膜6が反射防止膜として働き、フォトレジスト膜8のパターン精度が向上する。その結果コンタクトホール10の形状のばらつきを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けたアルミニウム膜及び前記アルミニウム膜上に設けた窒化チタン膜又は硅化タングステン膜からなる積層構造の下層配線と、前記下層配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの下層配線と接続して前記層間絶縁膜上に設けた上層配線とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/318