特許
J-GLOBAL ID：200903045639696625
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095445
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283684
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 誘電体膜を可及的に薄膜化できると共にそのリーク電流を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 窒化シリコン膜を更に窒化することにより、窒化シリコン膜形成時に発生した窒化シリコン膜の欠陥部がほぼ完全に窒化され、窒化シリコン膜の膜質を向上させることができる。その結果、窒化シリコン膜のリーク電流を低減させることができる。従って、容量素子の容量を大きく、または容量を確保したまま容量素子の面積を小さくすることが可能となり、半導体装置の安定動作や集積度向上に大きく寄与することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜として窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法に於て、前記窒化シリコン膜を形成した後に該窒化シリコン膜を更に窒化させる過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 325 J
, H01L 27/10 325 C
